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对注Si ̄+的GaAs样品(注入能量180keV、剂量5×l0 ̄(12)~10 ̄(15)cm ̄(-2)采用白光快速退火,测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射,Hall测量结果,分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比.结果表明:GaAs中Si ̄+注入掺杂,在低剂量注入时,Si的两性是影响激活率的主要原因;高剂量注入时,残留间隙Si原子的存在是导致激活率低的主要因素。