【摘 要】
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发明的详细说明用以往技术制造的硅钢片,在10奥斯特磁场下,导磁率为1790～1840,板厚0.28毫米,在60赫兹、1500高斯条件下铁损为1.08～1.17瓦/公斤,而在1700高斯条件下,铁损为1.54～1
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发明的详细说明用以往技术制造的硅钢片,在10奥斯特磁场下,导磁率为1790～1840,板厚0.28毫米,在60赫兹、1500高斯条件下铁损为1.08～1.17瓦/公斤,而在1700高斯条件下,铁损为1.54～1.76瓦/公斤。这种取向硅钢除含3.2％硅外,还含有若干残余元素。美国专利第3287183号发表了在10奥斯持磁场下,导磁率达1910的单取向硅钢制造方法。发表在上述美国专利中的硅钢,采用两个轧程中间夹有中间退火的二次冷轧法处理,头一个轧程压下量少,后一个轧程压下量大。如按上述专利采用AlN作为防止
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