硅扩散型半导体传感器光刻掩模设计

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mxl19860326

【摘要】

：

本文从单晶硅材料的某些性质和压阻原理出发,对硅扩散型半导体压力传感器的光刻掩模版设计进行了较为全面地探讨,从而提出五种方案。文中还指明了某些使用条件下的最佳方案。

【作者】

：

曹洪倩

【机构】

：

江苏徐州发电厂221166

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1992年1期

【关键词】

：

半导体传感器硅扩散型掩模

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