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用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶，其电阻率为10^7Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10^8cm^-3量级，且能将注入其中的部分电荷储存起来，分析认为，晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的。
富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性
【摘 要】
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用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶，其电阻率为10^7Ω.cm量级，电子陷阱浓度为10^8cm^-3量级，且能将注入其中的部分电荷储存起来，分析认为，晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是
【机 构】
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四川大学材料科学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年9期
【基金项目】
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教育部重点科技项目,高等学校骨干教师资助项目~~
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