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报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．
808nm准连续阵列半导体激光器
【摘 要】
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报道了８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ高功率准连续阵列半导体激光器．在频率１０００Ｈｚ，脉冲宽度２００μｓ，占空比达２０％时，单阵列条的输出光功率室温下达到３７Ｗ．
【机 构】
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长春光学精密机械学院; 高功率半导体激光国家重点实验室!吉林长春１３００２２; 高功率半导?;
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年04期
【基金项目】
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国家863高技术基金
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