大频率比双频分支线定向耦合器设计

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针对日益增长的多制式无线通信需求,面向900 MHz个人移动通信和5800 MHz无线局域网应用,提出了一种大频率比双频定向耦合器,其工作频率比可达6.34。该耦合器利用奇偶模分析法,给出了双频定向耦合器的设计方法,并利用阶梯阻抗变换技术分析了等效λ/4传输线实现大频率比工作的条件;同时,推导出了等效λ/4传输线实现双波段大频率比工作的阻抗和电长度解析式。为了对设计进行验证,对该定向耦合器进行了加工和测试。结果表明,限定输入端回波损耗大于15 dB,输出端口幅度不平衡度小于0.5 dB且相位不平度度小于5
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目的观察额肌瓣悬吊术矫正先天性上睑下垂效果。方法对本院选取的38例先天性上睑下垂患儿予以额肌瓣悬吊术矫正治疗,观察矫正效果、眼睑改善状况、额肌力评分即并发症发生情况。结果38例先天性上睑下垂患者手术均成功、矫正满意、耸眉、仰视、皱额等习惯改善;与术前相比,术后MRD值、眼睑高度、泪液分泌试验结果、眼睑外形评分显著提升,差异均存在统计学意义(P<0.05);与术前相比,术后额侧肌评分降低不显著(P>0.05);有1例出现眼睑迟落、2例出现上睑轻度外翻并发症,经积极处理后,并发症消失,恢复较好。结
镍锰酸锂(LiNi0.5Mn1.5O4)正极材料因具有电压高、循环性能高、结构稳定等优点,被认为是下一代锂离子动力电池的正极材料首选。在综述LiNi0.5Mn1.5O4正极材料晶体结构和电化学性能的基础上,重点阐述了两种提高镍锰酸锂材料结构稳定性、容量保持率的改性方法——元素掺杂和表面包覆。最后,指出了今后LiNi0.5Mn1.5O
目的探讨热休克蛋白90(HSP90)在肺腺癌中的表达,分析其表达与临床病理特征及预后的关系。方法回顾性分析收集在中南大学湘雅二医院手术切除的193例肺腺癌患者的癌组织和53例肺大疱和支气管扩张症患者非癌对照肺组织的石蜡标本,通过制作高通量的组织芯片,采用免疫组织化学SP法检测组织芯片中HSP90的表达,分析其表达水平与患者临床病理特征的关系;采用Kaplan-Meier生存曲线分析HSP90不同表
针对老人独居状况下出现的意外跌倒频发、跌倒后无人发现、老人状态子女难以掌握等现象,本文过多传感器融合、通信、大数据、人工智能等技术研发出一个以老人是否摔倒进行实时监测为主要功能的关怀老人的智能穿戴设备(腰带)和配套APP。当老年人在移动过程中出现倾斜摔倒姿态时,腰带中的传感器能快速检测到活动状态异常并通过WiFi或4G网络向阿里云传输信息,经过阿里云的处理和转发,子女手机将接收到包含位置、心率和时间等重要救援信息的警示提醒,这将使得老年人摔倒后无人救助的概率大大降低,并显著改善老年人的生活状态,后期可推广
锂硫电池是一种具有良好发展前景的高能量密度电池,但是由于硫电极的绝缘性、反应动力学低、反应过程中产生巨大的体积膨胀和严重的多硫离子穿梭效应等问题,限制了锂硫电池的商业化发展。为了探究NiSe2对于提升锂硫电池的性能影响,采用胶体合成法将NiSe2生长在自支撑碳布(CC)上作为锂硫电池的先进中间层,使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对NiSe2/CC的成分和形貌进行表征,通过电化学测试深入研究NiS
二维材料又称二维原子晶体材料,其结构特性使载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内,因此令这种材料拥有许多优异的性质,如高载流子迁移率、导电性、生物相容性以及带隙可调谐性。在相关的制备手法上,也从单一的机械剥落法发展至液相剥落、化学剥落、超临界流体剥落、化学气相沉积(CVD)和外延生长等。本文归纳了近些年来一些二维材料新成员的制备手段与应用前景,并对当前存在的问题和未来发展的方向做了展望,为基于二维材料的设计和应用提供了参考。
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特发性肺纤维化(IPF)是常见的病因不明的肺间质疾病,发病机制不明,尚无特效药物,其进展缓急、病情预后呈异质性。多项研究发现机体及肺部免疫系统功能异常可能与IPF发病、进展及预后相关,本文结合文献综合分析了IPF相关多种免疫细胞及细胞因子、免疫球蛋白在IPF患者外周血和支气管肺泡灌洗液的分布情况,探讨这些作为免疫评估及监测的细胞及分子标志物对于IPF诊断、病情评估和预后预测的研究潜力和临床应用潜在
离心泵作为通用的旋转机械设备,广泛的应用于工程中的各个领域,离心泵在工作时其内部流场会对驱动端转子系统及泵体有流体激励作用,这种动载荷表现为流体或流场的压力的脉动,研究整个机组和旋转轴系的撮动特性的关嚏,某型离心泵流场计算为例,对其流场外特性及其激励进行了数值仿真计算分析,在水泵等旋转机械振动分析领域具有一定的工程指导意义。
基于0.18μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD)。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过增加SAB层,器件的维持电压(Vh)可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比,带有SAB层的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的维持电压。