MOCVD生长的GaN和GaN：Mg薄膜的拉曼散射

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【摘要】

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通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近

【作者】

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王瑞敏陈光德 LIN J Y JIANG H X

【机构】

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西安交通大学理学院,DepartmentofPhysics

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

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氮化镓拉曼散射应力松弛 GaN Raman scattering stress relaxation

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近的两个峰,640 cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660 cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模.掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果.在掺Mg的样品中还观察到276,376 cm-1几个局域模并给予了解释.同时

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