西安200 MeV质子应用装置直线注入器低电平控制系统设计与测试

来源 :现代应用物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:clys1986
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西安200 MeV质子应用装置(XiPAF)直线注入器采用了 2套500 kW四极管功率源和1套15 kW固态功率源,由3套数字化低电平控制系统(LLRF)独立驱动,工作频率为325 MHz,以脉冲模式运行,分别为射频四极加速器(RFQ)、漂移管直线加速器(DTL)和散束器(debuncher)提供射频功率.LLRF采用基于FPGA的数字正交调制解调(I/Q)技术,可对RFQ、DTL和散束器腔内射频电场强度的幅度和相位进行精确控制,控制稳定度分别达到±1%,±1°以内.LLRF配备了 1套驻波比保护装置,可对3路射频链路独立实施驻波比保护,响应时间小于10 μs.LLRF通过以太网连接控制计算机,可通过Windows环境下的用户程序进行控制,也可由加速器中央控制系统远程控制.目前3套LLRF已应用于XiPAF直线注入器,并顺利实施了 7 MeV负氢离子束注入实验.
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