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首次合成了B-et-B,用交流阻抗的方法探索了成膜条件对铜缓蚀效率的影响.实验发现HNO3法处理铜电极能够提高膜的质量;随着成膜时间的增长、成膜液浓度的增大,缓蚀效率增大.
B—et—B自组装膜对铜的缓蚀作用
【摘 要】
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首次合成了B-et-B,用交流阻抗的方法探索了成膜条件对铜缓蚀效率的影响.实验发现HNO3法处理铜电极能够提高膜的质量;随着成膜时间的增长、成膜液浓度的增大,缓蚀效率增大.
【机 构】
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河北师范大学,河北师范大学,衡水师范专科学校
【出 处】
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河北师范大学学报
【发表日期】
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2003年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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