定量单轴压力下单晶硅片原位拉曼谱峰测试

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hahahaha8

【摘要】

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测量获得了金刚石压腔系统中碳化钨基座单轴下的总压应力（F/N）-应变（ε/μm/m）关系：F=3.395ε＋12.212（R^2=0.999 9）,研制出可以在定量单轴压力下原位测试样品谱学特征的装置。利用该

【作者】

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谢超杜建国刘雷易丽刘红陈志李静

【机构】

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中国地震局地震预测重点实验室,防灾科技学院

【出处】

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光谱学与光谱分析

【发表日期】

：

2016年4期

【关键词】

：

单轴压力单晶硅片拉曼谱峰残余应力 Uniaxial pressure Monocrystalline silicon wafer Raman spec

【基金项目】

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Basic research project of Institute of Earthquake Science,CEA（2012IES0404）,project supported by National Natural Science Foundation of China（41104052,41373059,41373060,41174071）,project supported by t

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测量获得了金刚石压腔系统中碳化钨基座单轴下的总压应力（F/N）-应变（ε/μm/m）关系：F=3.395ε＋12.212（R^2=0.999 9）,研制出可以在定量单轴压力下原位测试样品谱学特征的装置。利用该装置测试了单轴压力在2548.664 MPa下单晶硅片的拉曼谱峰。测试结果表明,当压力垂直于单晶硅样品[100]结晶面时,样品的519.12cm^-1谱峰随压力增大有规律的向高频方向偏移,谱峰频移量（Δω/cm^-1）与压力（σ/MPa）的增加呈显著的线性关系,线性方程为σ=365.80Δω＋10.1

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