A new GaAs-based Long Wavelength Laser Diode Developed

来源 :中国科学院院刊：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：andychinajj

【摘要】

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Researchers at the CAS In stitute of Semiconductors (ISCAS) have made significant progress in their work on a new generation of the GaAs based longwavelength la

【出处】

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中国科学院院刊：英文版

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

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长波长激光二极管半导体砷化镓中国科学院

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Researchers at the CAS In stitute of Semiconductors (ISCAS) have made significant progress in their work on a new generation of the GaAs based longwavelength laser device. Recently they have developed the world's first 1.586μm GaInNAsSb/GaNAs/ GaAs si

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