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用离化团簇束(ICB)沉积法制备了C60薄膜。XRD测试表明,膜呈多晶结构,原位电阻测试表明,膜的室温电阻率超过10^3Ωcm,具有负的电阻温度系数。用80keVp,BBr3,Ar和He对C60膜作剂量范围为0-10^14cm^-2离子注入,C60膜的电阻率随注入剂量的增加而下降,p注入使膜呈n型电导,离子与C60团簇的相互作用导致C60分裂,并使膜表面非晶化,在沉积过程中溅射掺Al得到P型C60