The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO2 (100) by metal-organic chemical vapor

来源 :中国科学:物理学、力学、天文学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lrq22
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m 飞机客栈(1 [“ 1 ]\\bar 1 00 ) epilayers 在 LiAlO2 上被种了(1 0 0 ) 由用金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 的一个二拍子的圆舞生长方法的底层系统。低温度客栈缓冲区层(副客栈) 被介绍克服 LiAlO2 的热不稳定性的缺点(老挝人) 并且由于大热失配在之间减轻紧张老挝人并且客栈。然后高温度 m 飞机客栈(1 [“ 1 ]\\bar 1 00 ) epilayers (HT 客栈) 被种。X 光检查衍射(XRD ) 的结果建议 m 飞机客栈(1 [“ 1
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