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InSb是制作3~5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍