【摘 要】
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为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题,研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界, 给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件, 并进行了数值验
【机 构】
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西北核技术研究所,西安交通大学电子与信息工程学院
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为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题,研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界, 给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件, 并进行了数值验证. 在不同频率和模式的激励源作用下, 模拟了2.5维问题中CPML截断圆柱波导开放边界的性能, 相对误差最大值都小于?90 dB. 在2.5维电磁PIC软件中引入CPML方法, 模拟计算了相对论返波管. 结果表明, CPML在截断波导开放边界方面的性能远好于Mur型吸收边界条件.
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