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单晶硅是半导体器件、集成电路以及太阳能电池片的重要原材料，对信息技术的发展及新能源光伏行业的发展有着至关重要的影响。直拉法是单晶硅生产制备的重要方法之一，其生长过程涉及到传热、传质等物理过程，同时涉及到化学反应等化学过程。其中生长过程中的晶转、埚转直接影响晶体生长过程中的温度分布、熔体对流，最终影响单晶中的杂质分布及电阻率分布等。本文以晶转、埚转为研究对象，分析其变化与单晶杂质、电阻率等品质的关系，以通过工艺调整，控制单晶品质。