基于Si／Si1-xGex／Si HBT的微波功率器件Ge组分的数值拟合计算

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaosum

【摘要】

：

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的

【作者】

：

曾健平周少华文剑李宇田涛

【机构】

：

湖南大学

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

双极型微波功率器件 SI1-XGEX 数值方法 bipolar. microwave-power-device Si_ 1-xGe_x numerical

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采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程.并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符.并得到一个最佳的Ge组分值.对器件的仿真设计具有实际指导意义.

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