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采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ECR-CVD）方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳（a-C：F）膜并在氮气气氛中对a-C：F膜进行了退火处理研究。X光电子能谱（XPS）化学结构分析表明，退火后a-C：F膜中CF3，CF2和CF含量减少，而C-CR（x=1～3）交联结构增多。电学性能研究指出，退火后a-C：F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升，Al／a-C：F／Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱，同时a-C：F膜的π-π^＊带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大。