杀铃脲对美国白蛾的作用机制研究

来源 :林业科技通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:libing09006
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
杀铃脲是一种新型的昆虫生长调节剂,已应用到农林害虫的综合治理中,并取得了较好的防治效果。研究表明利用杀铃脲防治美国白蛾,可使其幼虫内表皮的组成成份发生改变。利用10ppm或20ppm的杀铃脲处理后的幼虫内表皮的几丁质沉积量,可分别比对照减少17.74%和21.24%,脂肪和灰份的含量也有所增加。利用该药剂处理后,幼虫生长缓慢,头宽、体长和体重均小于对照组,且其体壁缺少硬度,不能在蜕皮、变态过程中给肌肉以足够的支持。这表明杀铃脲具有抑制美国白蛾幼虫体壁的几丁质合成和沉积作用 Tribursal is a new insect growth regulator, has been applied to the comprehensive management of agricultural and forestry pests, and achieved good control effect. Studies have shown that the use of trifolylurea control bollworm can make its larvae change the composition of the inner epidermis. Chitin deposition rates of larval inner skins treated with 10 ppm or 20 ppm triflumuron decreased by 17.74% and 21.24%, respectively, and the contents of fat and ash were also increased. The larvae grew slowly, the head width, the body length and the body weight were all smaller than those of the control group. The body wall of the larvae lacks the hardness and can not provide sufficient muscle support during molting and metamorphosis. This suggests that triflumuron inhibits the chitin synthesis and deposition in the body wall of the American white moth larvae
其他文献
1993年7月,AC米兰队的“荷兰三侠”伤的伤、走的走,很多人都认为AC米兰时代终于要结束了。但卡佩罗危难之时方见英雄本色,在他的率领下,这支朴实无华的球队仍以50分提前三轮
[主持人语 ] 党的十六大指出 ,经过全党和全国各族人民的共同努力 ,我国人民的生活在总体上已经达到小康水平。但是 ,现在所达到的小康还是低水平的、不全面的、发展很不平
GB/T1. 1- 2000《标准化工作导则第 1部分:标准的结构和编写规则》 (以下简称本标准 )已于 2001年 1月 12日由国家质量技术监督局以中华人民共和国标准批准发布公告 2001年第 1
由中国体育报社、黑龙江棋院等单位联合主办的第二届象棋棋王赛第一阶段比赛于7月1日至8日在哈尔滨市省科学会堂举行。省科学会堂座落在风景秀丽的太阳岛上,景色宜人,众多棋
在大学校园里,有几次我把陈恪的“恪”读成ke,总是被同学甚至师长纠正为que,问他们原因,回答说:“只是这个字该读que。”几次经历使我切身感受到文化圈内把陈寅恪的“恪”读成que的人确非少数
大家上午好!很高兴受浙江省图书馆学会的盛情邀请,前来参加今天的会议。首先,对浙江省图书馆学会第八次会员代表大会的召开,表示祝贺!应该说,自第七届理事会成立至今的五年多
从我参加工作的那一天起,《机械工人》就一直伴随在我身边,至今已经十年了。她为我提供了大量内容详实,极具适用性的实际资料,弥补了我实践知识的不足。是她真正把我引进了
针对纺织工业中对摆幅摆频功能的需要 ,介绍一种采用数模混合电路设计的新型摆幅摆频信号发生器。它由控制电源、摆幅控制调节电路、摆频控制调节电路、Pskip幅度控制调节电
选用10种溶剂、10种化学药剂原油进行不同药剂的复配筛选试验,找到一种树干注射防治光肩星天牛木质部幼虫效果达97%的复配药剂,并定名为“灭至灵”。 10 kinds of solvents and 10 ki
日本富士通公司采用MOCVD方法在Inp衬底上生长晶格匹配In 0 .52A10 .4 8As/In 0 .53Ga 0 .4 7AsHEMT。这种HEMT的 50mmT型Ti/Pe/Au栅制作可在小于 30 0℃下进行 ,并遏制Siδ掺杂层的扩散。截止频率达到目前所报道的