论文部分内容阅读
高压氮化镓（GaN）与传统硅基器件相比，其禁带宽度更宽，导通电阻及寄生电容更小，因此应用在中小功率场合可有效提高变换器的功率密度和开关频率。根据高压GaN的开关特性，设计了一种能消除米勒效应的高压GaN驱动电路，继而又设计了一款开关频率达200kHz的高压GaN双有源桥实验平台，并进行了相应的实验验证及效率、温度的分析。