【摘 要】
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基于密度泛函理论,对各组分AlxIn1-xAs（x为0～1）的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,AlxIn1-xAs晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院; 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心; 贵州财经大学信息学院;
【基金项目】
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国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046);贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2046,黔科合LH字[2016]7436,黔科合基础[2017]1055)
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基于密度泛函理论,对各组分AlxIn1-xAs（x为0～1）的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,AlxIn1-xAs晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,AlxIn1-xAs的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的AlxIn1-xAs晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.
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