论文部分内容阅读
利用动态高温X射线衍射技术分别对立方CoSi和六方CrSi2化合物在298-973K温度范围内的晶格热膨胀性进行了研究。结果表明:化合物CoSi的点阵参数随温度升高呈线性增长关系,其平均线热膨胀系数%和平均体热膨胀系数av分别为1.14×10^-5K^-1和3.42×10^-5K^-1,两者之间符合立方晶系关系式,即3aa=av;化合物CrSi2的点阵参数随温度升高而显著增大,其中沿a轴和c轴的平均线热膨胀系数及平均体热膨胀系数分别为aa=0.96×10^-5K^-1,ac=