【摘 要】
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针对4H．SiC射频MESFET中的陷阱效应，建立了基于解析模型的器件小信号参数模型，引入能够反映陷阱影响的参数Rds^n、gm^n、Gss等，从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况．对沟道
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室,武警工程学院军械运输系
【基金项目】
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国家自然科学基金(No.60606022);国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101)
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针对4H．SiC射频MESFET中的陷阱效应，建立了基于解析模型的器件小信号参数模型，引入能够反映陷阱影响的参数Rds^n、gm^n、Gss等，从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况．对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明，4H．SiC MESFET的跨导既有正向偏移，也有负向偏移．偏移频率在室温下不足1Hz，但在600K的温度下则可达到MHz的量级．结合自热效应模型，论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响．模拟结果表明，随着温度的上升，偏移频段上升．本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上
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