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本文讨论了制作绝缘体上硅(SOI)结构的外延横向过生长技术(ELO),并通过在SOI结构上制作的nMOS晶体管验证ELO SOI材料质量和器件总剂量加固性能。在SOI结构上制作的nMOS晶体管显示出了好的辐射特性,例如,发现剂量为10~5戈瑞(硅)的辐射诱发变化为,阈值电压漂移=-0.25V,跨导衰减=18％。