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采用密度泛函UB3LYP方法，在6-311＋＋G^＊＊基组水平上，研究了Ni^＋与CS2的反应体系。对其基态^2Ni^＋和激发态^4Ni^＋与CS2反应势能面上各驻点的几何构型进行了全优化与振动频率分析，并用内禀反应坐标（IRC）方法对过渡态进行了验证。对影响反应机理和反应速率的势能面交叉现象进行了讨论，运用Hammond假设和YOSHIZAWA等的内禀反应坐标垂直激发的计算方法找到了两个不同电子态反应势能面上的交叉点。计算结果表明，C—S键的活化遵循插入消去机理，最有利的反应通道为^2Ni＋^1CS2→