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折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标，是检验薄膜制备质量的重要参数，其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气配比等沉积条件对在太阳能电池上沉积的氮化硅薄膜折射率的影响，分析了氮化硅薄膜折射率随各沉积条件变化的原因。
管式PECVD工艺对氮化硅薄膜折射率的影响
【摘 要】
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折射率是反映薄膜成分以及致密性的重要指标，是检验薄膜制备质量的重要参数，其变化直接影响太阳能电池的转化效率。本文研究了不同射频功率、腔体压强、衬底温度以及硅烷和氨气
【机 构】
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山东力诺太阳能电力股份有限公司,山东凯文科技职业学院
【出 处】
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山东科学
【发表日期】
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2012年3期
【基金项目】
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国家高技术研究与发展计划（863计划）重点项目（2012AA050303、2011AA050504）,山东省自主创新成果项目（2010ZHZX1A0702、201IZHZX1A0701）
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