【摘 要】
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采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面
【机 构】
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兰州大学现代物理系,兰州大学现代物理系,兰州大学现代物理系 甘肃兰州730000rrrrrrrrrn,甘肃兰州730000rrrrrrrrrn,甘肃兰州7300
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采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪 .实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区 ,测量结果与以前发表的结果进行了比较 .所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考 .
The non-Rutherford elastic backscattering cross section (16 0 ° backscattering angle) of energy 1.30 - 2.2 MeV proton on silicon of 99.99% purity was measured using a thin target.The proton beam was measured by a 2 × 1.7 MV tandem accelerator The measuring instrument uses a silicon-silicon surface barrier detection spectrometer, and the lowest energy region in the experiment enters the Rutherford elastic scattering energy region, and the measurement results are compared with previously published results. The measured data are available for backscatter analysis techniques Relevant personnel reference.
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