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采用磁控溅射制备了LCMO／Si异质结，研究了异质结在不同温度以及低磁场下的电学特性。分析表明该p-n结在80-300K温度范围内具有很好的整流特性，并且随着温度升高，内建电势随之降低，整流效果有所提高。结电阻对低磁场敏感，0．3T的磁场下，磁电阻可达到42％。通过改变电压可以对磁电阻进行调节。