论文部分内容阅读
采用磁控溅射制备了LCMO/Si异质结,研究了异质结在不同温度以及低磁场下的电学特性。分析表明该p-n结在80-300K温度范围内具有很好的整流特性,并且随着温度升高,内建电势随之降低,整流效果有所提高。结电阻对低磁场敏感,0.3T的磁场下,磁电阻可达到42%。通过改变电压可以对磁电阻进行调节。