High performance active image sensor pixel design with circular structure oxide TFT

来源 :半导体学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaosmoon

【摘要】

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We report a high-performance active image sensor pixel design by utilizing amorphous-indium-gallium-zinc-oxide(aIGZO) thin-film transistors(TFTs) with a circula

【作者】

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Rui Geng Yuxin Gong

【机构】

：

SchoolofInternationalEducation,SchoolofInformationScienceandEngineering

【出处】

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半导体学报:英文版

【发表日期】

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2019年2期

【关键词】

：

a-IGZO TFT ACTIVE image sensor CIRCULAR structure high GAIN

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We report a high-performance active image sensor pixel design by utilizing amorphous-indium-gallium-zinc-oxide(aIGZO) thin-film transistors(TFTs) with a circular structure. The TFT, configured with the inner electrode as source and outer electrode as drai

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