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为了提高中子产额, 法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度, 其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,踢波器由一对电偏转板和串联电感线圈组成谐振腔体。考虑到高频下寄生电容效应、导体腔壁对线圈电感的影响以及涡流效应对线圈交流电阻的影响, 对一台模型腔的射频特性进行了理论预测。对腔体内电磁场分布进行了数值模拟, 并利用电容微扰法进行了冷模测量。针对谐振频率、品质因数和并联分路阻抗等参数, 分析比较了理论计算、数值模拟及冷模测量的结果, 总结得出射频踢波器的有效设计方法。