离子注入半导体的快速热退火与SOI技术

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自1977年以来,为了摸索离子注入半导体的新退火方法,各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究,已派生出若干很有生命力的应用项目,其中,快速热退火、SOI(Semiconductor on Insulator)技术等已显示了重要的应用前景,并正在走向实用化。 Since 1977, a great deal of research work has been carried out by scholars from all over the world in order to find out the new annealing method for ion implanted semiconductors. This effort began with the study of laser annealing. Research on the interaction between laser and semiconductor materials has resulted in a number of very promising applications. Among them, rapid thermal annealing (SOI) and semiconductor on insulator (SOI) technologies have shown important applications and are becoming practical.
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