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研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化,并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究,分析器件性能退化的原因。
高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究
【摘 要】
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研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2020年6期
【基金项目】
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四川省科技计划资助项目(2019YFG0093)
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