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中子嬗变掺杂硅单晶pn结击穿特性的研究
中子嬗变掺杂硅单晶pn结击穿特性的研究
来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:y253119971
【摘 要】
:
对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析。
【作 者】
:
徐传骧
何绍福
【出 处】
:
电力电子技术
【发表日期】
:
1994年1期
【关键词】
:
中子嬗变
硅单晶
击穿
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对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析。
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