【摘 要】
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在无模板、无表面活性剂条件下,采用静态化学氧化聚合法合成了高聚合产率(93%)聚吡咯纳米颗粒.以红外光谱、广角X射线衍射、四探针仪、扫描电子电镜和透射电子显微镜对聚吡咯
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在无模板、无表面活性剂条件下,采用静态化学氧化聚合法合成了高聚合产率(93%)聚吡咯纳米颗粒.以红外光谱、广角X射线衍射、四探针仪、扫描电子电镜和透射电子显微镜对聚吡咯的结构、电性能和形貌进行了表征.并研究了搅拌条件、氧化剂种类、过硫酸铵/吡咯摩尔比、聚合反应温度和反应介质对聚吡咯纳米颗粒的粒径、形貌的影响.结果发现,聚吡咯纳米颗粒的尺寸随聚合反应条件的变化而改变.在静态条件下,以过硫酸铵为氧化剂、过硫酸铵/吡咯摩尔比为0.25,于0℃冰水浴中有利于获得聚吡咯纳米颗粒.透射电子显微镜的结果表明以过硫酸铵/吡咯摩尔比为0.25,于0 ℃下1.0 mol/L HCl水溶液介质中可以聚合得到直径为43 nm、颗粒大小均匀的球形聚吡咯纳米颗粒.盐酸掺杂聚吡咯纳米颗粒的室温电导率可达5.5 S/cm.
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