【摘 要】
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在较低的温度下,通过热氧化法在Si单晶基底上合成氧化铌(NbO_x)非晶结构纳米薄膜。样品的衍射谱为典型的漫散包,在450℃以下的退火样品都没有明显的晶化峰出现。SEM图片显示,
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在较低的温度下,通过热氧化法在Si单晶基底上合成氧化铌(NbO_x)非晶结构纳米薄膜。样品的衍射谱为典型的漫散包,在450℃以下的退火样品都没有明显的晶化峰出现。SEM图片显示,薄膜是由一些准直阵列的椎形结构组成。在室温下对原始非晶膜以及退火处理过的样品作了PL谱分析,实验观测到:514nm激发光源下,样品在室温下可见光区出现红橙色发光,发光峰包较宽且很有特点。分峰拟合结果可明显看到发光峰包由630～715附近的两峰组成,通过性能检测发现,薄膜经低温段退火处理后在可见光区具有很好的光致发光,这一现象到目前
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