【摘 要】
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在GAAS中碳受主局域振动模主吸收带低能侧,观察到一个吸收边带,其峰频率与局域振动模吸收主带的峰频率之差约为35 CM － 1.该边带的积分面积随温度变化,并影响主吸收带积分面积
【机 构】
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河北工业大学电子系;天津电子材料研究所;天津市红桥区职工大学;西安交通大学电子学系
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在GAAS中碳受主局域振动模主吸收带低能侧,观察到一个吸收边带,其峰频率与局域振动模吸收主带的峰频率之差约为35 CM － 1.该边带的积分面积随温度变化,并影响主吸收带积分面积的温度关系.该边带可能起因于局域振动模自身的非简谐性“,”A sideband on the low energy side of the local vibrational mode main absorption band of carbon acceptor in GaAs was observed.The difference between the peak frequency of the main absorption band and that of the sideband is 3 5 cm -1 .The integrated absorption of the sideband varies with temperature and has an effect on the temperature dependence of the main absorption band.It is likely that the sideband originates from the anharmonicity of the local vibrational mode itself.
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