【摘 要】
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提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,中国电子科技集团公司第五十八研究所
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提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MRD-RESURF)LDMOS,在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43·8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中.
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