【摘 要】
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去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2和H_2的反应离子蚀刻,可使碳薄膜的蚀刻速率
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去除金刚石表面层的可靠方法,对于微电子学及诸如金刚石表面抛光处理等应用领域来说都是极其重要的。我们的初步研究结果是,用O_2和H_2的反应离子蚀刻,可使碳薄膜的蚀刻速率达560(?)/min左右;用300eV氧离子进行天然Ⅱ—A型金刚石蚀刻可获得350(?)/min的蚀刻速率。此外,对反应室内的氧加入一定百分比的Ar并不影响蚀刻速率。
A reliable method of removing the diamond surface layer is extremely important for microelectronics and applications such as diamond surface finishing. The results of our preliminary study are that the etching rate of carbon film can reach about 560 (?) / Min with O_2 and H_2 reactive ion etching, and 350 Å with 300eV oxygen ion. / min etch rate. In addition, adding a certain percentage of Ar to the oxygen in the reaction chamber does not affect the etching rate.
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