Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究

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【摘要】

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利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH3CSNH2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8 nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥键的Ga原子

【作者】

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张发培郭红志徐彭寿祝传刚陆尔东张新夷梁任又

【机构】

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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2000年1期

【关键词】

：

钝化覆盖层同步辐射光电发射谱界面形成原子形成表面界面反应交换反应偏析处理

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利用同步辐射光电发射谱研究了Co与CH3CSNH2处理的S钝化GaAs(100)的界面形成.发现其界面反应较弱,Co覆盖层达到0.8 nm时,形成稳定的界面.GaAs表面上和S原子形成桥键的Ga原子与Co发生交换反应并扩散到覆盖层中,形成Co-S键.Co覆盖层表面无偏析As的出现,与Co/GaAs(100)界面不同,这表明GaAs表面的S钝化可有效地阻止As原子向覆盖层的扩散.

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