Si3N4绝缘栅中两种表面基对pH—ISFET器件敏感特性的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yulong19841001
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在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体主其两种表面基的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响。在硅西文/胺基=7/3附近时,得到电解液-绝缘体界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽。
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