在(110)单晶硅上获得高性能nFET

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ceolq

【摘要】

：

据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。根 According to Sematech researcher Rusty Harris,

【作者】

：

David Lammers

【出处】

：

集成电路应用

【发表日期】

：

2008年04期

【关键词】

：

单晶硅硅晶圆晶圆半导体工业金属栅栅长沟道长度绝缘体上硅阈值电压非晶硅

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据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。根 According to Sematech researcher Rusty Harris, the future of CMOS technology is likely to shift from the (100) -oriented silicon wafer of today’s semiconductor industry to the (110) -oriented wafer. root

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