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在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,对SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究.通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件.
SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
【摘 要】
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在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,对SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究.通过改变
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年10期
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