论文部分内容阅读
用丝网印刷法将舢掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373-383nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510—540nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74V/μm和2.6V/μm,场增强因子值为30249.