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用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷阱电子起主导作用,从而减小了漏电压的有效作用,使得产生率最大值变小.应用这种新模型定量得出了影响漏电压的等效电荷密度.