【摘 要】
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用电阻热压烧结法制备了碳化硅颗粒/铜(SiC_p/Cu)复合材料。对复合材料的制备工艺进行了研究。对复合材料的致密化机制进行了分析。用X射线衍射、扫描电镜等分析样品的成分和
【机 构】
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用电阻热压烧结法制备了碳化硅颗粒/铜(SiC_p/Cu)复合材料。对复合材料的制备工艺进行了研究。对复合材料的致密化机制进行了分析。用X射线衍射、扫描电镜等分析样品的成分和微观形貌。结果表明:制备SiC_p/Cu复合材料较适宜的烧成条件为700℃,30～40 MPa,5～10 min。所制备的35SiC/65Cu(体积分数)复合材料的最大密度为7.0 g/cm~3,弯曲强度为220 MPa,显微硬度为1.30 GPa。SiC_p/Cu复合材料的电阻烧结致密化是通过软化的铜在烧结压力下的塑性变形来实现的。
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