GaN宽禁带半导体功率场效应晶体管驱动优化的研究

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作为新一代半导体功率器件,GaN(氮化镓)宽禁带半导体功率场效应管具有许多Si材料不具备的优异性能,可降低损耗,提高效率,完成器件小型化的要求,是Si材料的有力替代者.但其与传统的Si MOSFET还存在诸多差异,如其反向导通特性的不同及栅极电压的严格控制.本文旨在研究GaN功率晶体管的合理驱动方式.基于对GaN晶体管的特性分析,探究其在同步整流Buck变换器中的应用特性,最终完成了对GaN功率器件的驱动电路的设计,得到其在200kHz下的驱动波形.
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