【摘 要】
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通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光（Photoluminescence,PL）光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对C
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光（Photoluminescence,PL）光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明：（1）在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;（2）1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
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