【摘 要】
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针对量子点光电探测器线列进行微光检测研究,量子点探测器采用AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构,GaAs宽阱中分别有一个InAs量子点(QDs)和In0.15Ga0.85As量子阱(QW),建立一个简单的器
【机 构】
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上海应用技术大学电气与电子工程学院,青岛科技大学自动化与电子工程学院
【基金项目】
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国家重大基础研究计划项目(2011CB932903),山东省高等学校科技计划项目(J17KA059)资助
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针对量子点光电探测器线列进行微光检测研究,量子点探测器采用AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构,GaAs宽阱中分别有一个InAs量子点(QDs)和In0.15Ga0.85As量子阱(QW),建立一个简单的器件模型进行分析。常温下,在632.8nm He-Ne激光照射下,当光功率为0.01pW时,器件偏压-0.5V,积分时间80.2μs,电压响应率达到7.0×10^11V·W^-1,具有非常高的灵敏度,这种光电探测器在300K温度下可以探测光功率小于10-14W极弱光。以这种量子点光电
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