IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值

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  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
  新器件的封装电流额定值达到195A,较典型封装电流额定值高出60%。新MOSFET并比先前的产品有更佳的导通电阻 (RDS(on)),以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外,7 接脚D2PAK封装的封装电流额定值达到240A的卓越水平,使它成为市场上最稳固的黏贴封装之一。这种7接脚D2PAK封装更比D2PAK进一步降低RDS(on)。
  全新N信道MOSFET系列提供60V~200V电压,并达到工业级别及MSL1标准。新组件均不含铅及符合电子产品有害物质管制指令(RoHS)。
  各款全新MOSFET已经开始供货。
  
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