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采用了电化学方法制备储锂硅材料，并用电子自旋共振（ESR）方法进行研究．实验结果表明，储锂前的硅ESR行为符合居里自旋的ESR特征，ESR信号主要来源于硅材料中的晶格缺陷、表面悬空键等局域化自旋中心．储锂后硅材料中产生了泡利自旋，居里自旋的强度比储锂前增大2～3倍．此外，对硅和储锂硅ESR谱线的g因子和△Hpp随温度的变化情况也进行了分析．硅材料电化学储锂时，与锂离子中和的电子主要参与形成Li—Si共价键，对ESR信号贡献很小．